A | 北京8月10日电（记者吴雨、任军）记者8月10日从中国人民银行获悉，根据《中国人民银行与德意志联邦银行备忘录》，中国人民银行决定授权德意志银行股份有限公司担任法兰克福人民币清算行。 8 月 25 日消息，科技媒体 Tom's Hardware 昨日（8 月 24 日）发布博文，报道称京都大学研究团队研发出新型碳化硅（SiC）晶体管，采用标准离子注入工艺制造，可在 600℃（873 K）下工作。援引博文介绍，该晶体管采用商业芯片工厂普遍使用的“离子注入”（ion implantation）工艺打造，相关成果于 8 月 17 日发表在《APL Electronic Devices》。
B | 研究团队选择“结型场效应晶体管”（JFET）结构，并将栅极置于沟道下方，形成底栅（bottom-gate）布局。离子注入过程中，部分掺杂原子会沿晶体通道深入目标区域之外，形成“沟道效应”尾部。传统顶栅结构难以补偿这一影响，导致设计阈值电压与实测值相差超过 2 V。底栅结构可捕获偏离预定深度的掺杂原子，让该偏差在 400℃ 下缩小至 0.1 V 以内。
C | 该科研团队为了减少高温漏电，团队还加入“双阱”（double-well）隔离结构。该结构通过 pn 结隔离单个器件，避免依赖下方半绝缘碳化硅衬底。参考广告声明：文内含有的对外跳转链接（包括不限于超链接、二维码、口令等形式），用于传递更多信息，节省甄选时间，结果仅供参考，包含外链的文章均包含本声明。
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Published on:03:22:52
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